奇碼數字信息有限公司筆試題

1．畫出NMOS的特性曲線（指明飽和區，截至區，線性區，擊穿區和C-V曲線）

2．2.2um工藝下，Kn＝3Kp，設計一個反相器，說出器件尺寸。

3．說出製作N-well的工藝流程。

4．雪崩擊穿和齊納擊穿的機理和區別。

5．用CMOS畫一個D觸發器（clk，d，q，q-）。