收集一：
一.填空
1.集成電路的分類，按材料，工藝
2.集成電阻的計算，以及其製造工藝
，Vtn的正負判斷，分別對於增強型和耗盡型
電路功耗包括哪兩個部分，功耗設計主要考慮的因素
……(還有幾道不記得了)
二.填表
全定製，門陣列，FPGA各自單元模塊，連線的性質……
三.填圖
CMOS工藝流程填圖畫圖
四.問答
單元負載較大的電容時，只有提高W，這樣會使W*L增加，相對前級又時一個大電容，如何解決這一矛盾?
2.結合軟件談談全定製集成電路設計流程
3.談談對Layout設計的看法
五.翻版圖或者畫版圖，選一
第二卷
1.什麼是格雷碼?
ist採樣定例
3.球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功
4.運算放大器1，…………2，有幾級，各級之間耦合方式有幾種，分析各種的'優劣。
收集二：1.畫出NMOS的特性曲線(指明飽和區，截至區，線性區，擊穿區和C-V曲線)
2.2.2um工藝下，Kn=3Kp，設計一個反相器，說出器件尺寸。
3.說出製作N-well的工藝流程。
4.雪崩擊穿和齊納擊穿的機理和區別。
5.用CMOS畫一個D觸發器(clk，d，q，q-)