實習可以加強我們專業知識的水平,提高動手能力。以下是專門爲你收集整理的燈飾公司銷售實習日誌，供參考閱讀！
燈飾公司銷售實習日誌篇1
2月份，由於燈杯的電鍍材料問題，導致我司4-5月份出貨給客人部分的直插筒燈燈杯有大量嚴重變色的異常情況發生;月份，又因環電鍍廠問題，導致客人投訴鐵皮環易生鏽的問題。但因公司及時查出導致產品出現各種質量異常的根本原因，及時向客人解釋，重新將出現質量異常的產品賠償給客人，並向客人承諾我們在今後會努力完善工作，以確保產品的質量不再出現更多的問題，從而使得老客戶沒有放棄與我們合作的關係。但第一次和我們合作的**客人，由於我們出貨給客人所有產品的燈杯全部嚴重變色，終造成了客人無法正常銷售，雖然之後我們有全部賠償新的燈杯給客人，但客戶最終還是對我們的產品質量失去信賴，同時也使客人打消了與我們長期合作的念頭，使得我們失去了一個理想的大客戶。
2：9月份，**客人，由於客人支付貨款不及時，且多次溝通都無法取得好的結果，使我們對客人失去了信譽，從而不得不安排其客人訂單暫停生產，同時造成其客戶訂單的產品庫存，資金不能正常運作，給公司帶來了嚴重損失。此問題至今還在緊密與客人溝通，直到問題得到解決爲止。
對於20xx年發生的種種異常問題，使我認識到了自己各方面的不足，也使我從中深深吸取了教訓，獲得了寶貴的工作經驗。在今後的工作中我將努力學習,以取得更多的工作經驗，使得犯錯的機率逐漸降低。
20xx年工作計劃及個人要求：
對於老客戶、固定客戶和潛在客戶，定期保持聯繫和溝通，穩定與客戶關係，以取得更好的銷售成績;
2. 在擁有老客戶的同時還要不斷髮掘更多高質量的新客戶;
3. 發掘東南亞區域目前還沒有合作關係往來的國家的新客戶，使我們的產品銷售得更爲廣泛;
4. 加強多方面知識學習，開拓視野，豐富知識，採取多樣化形式，以提高業務水平，把銷售工作與交流技能結合;
5. 熟悉公司產品，以便更好的向客人介紹;
6. 試着改變自己不好的處事方法以及不愛與別人溝通等問題。
有關建議：
20xx年公司銷售員年終總結20xx年工作計劃及個人要求
建議公司生產的所有產品能擬定產品詳細資料，一方面可對燈具的所有詳細資料進行記載，以完善資料，另一方面可方便銷售人員在向客人介紹產品時更清楚和肯定地向客人介紹產品的各種的性能、材質、優勢等，使得客人更加相信我們的專業水平和實力;
2. 適應東南亞區域國家的新產品開發較緩慢，建議每個月開發(系列)新產品，以吸引客戶眼球，賺取高的利潤空間;
隨着公司和市場不斷快速發展，可以預料我們今後的工作將更加繁重，要求也更高，需掌握的知識更高更廣。爲此，我將更加努力學習，提高文化素質和各種工作技能，爲公司盡應有的貢獻。
燈飾公司銷售實習日誌篇2
室外照明近20多年來，LED已在發光效率、壽命、穩定性等方面取得了巨大的突破，孕育着2世紀照明的革命。但目前LED 光源在芯片質量、光電性能、封裝工藝和材料、散熱技術、驅動電路、非成像光學設計、相關標準和性價比等方面還存在問題，使LED在照明的推廣應用中呈現說易行難的局面。因此試圖通過對研發LED 光源的壁壘進行探討，結合LED發展的現狀，提出使LED更廣泛地進入照明市場的可行思路。
發光效率
衆所周知，單顆LED 的光通量有限，其解決途徑 之一是提高其發光效率。一般而言，提高LED 發光 效率的途徑主要是改進其內量子效率和外量子效率。 內量子效率( Internal quantum efficiency) 是每秒輻射 複合產生的光子數與在有源區內每秒複合的電子空 穴對總數之比; 外量子效率( External quantum efficiency) 是器件每秒發射的光子數和每秒通過LED 的電子數目之比。提高內量子效率的關鍵在於改進 晶體的外延工藝、減少晶體的錯位等缺陷，通過優化 量子阱阱寬等措施改善量子阱結構，從而進一步提高 芯片質量和改善器件性能。提高外量子效率，主要是 從芯片技術角度出發，如優化襯底剝離技術、表面粗 化技術和採用光子晶體結構等，這些技術措施同時也 能提高芯片內量子效率。
2 散熱問題
供給LED 工作的電能70% 以上會轉換成熱量， 與傳統光源不同，白光LED 的發光光譜中幾乎不包 含紅外部分，所以其熱量不能依靠紅外輻射釋放。由 於熱量集中在微小的芯片內( 一般芯片尺寸在m × m ～ 2. mm × 2. mm 範圍內) ，功率型LED 的 驅動電流一般爲350mA，甚至已達，這將引起芯片 內部熱量聚集，結區溫度升高，從而明顯降低芯片的 出光率。如結點溫度上升℃，光效和壽命均會下 降一半以上; 還將導致芯片的發射波長漂移，使其與 熒光粉的激發波長不匹配，降低熒光粉的激射效率， 進一步地降低白光LED 的發光效率，也會加速熒光 粉老化，嚴重影響器件的光學性能。因此散熱問題成 爲LED 光源推廣應用中須十分注意解決的方面。LED 的散熱性能很大程度上取決於器件的封裝 結構和封裝材料。針對傳統LED 採用的正裝結構，爲增強散熱產生了芯片倒裝技術。同時受硅片材料 機械強度與導熱性能的限制，LED 傳熱性能的進一 步提高需要新材料相匹配; 如採用芯片封裝在金屬夾 芯的PCB 板上的結構及通過封裝到散熱片上來解決 散熱的方法，由於夾層中的PCB 板是熱的不良導體， 也會阻礙熱量傳導。就封裝工藝應用的粘結材料、熒光粉、灌封膠、散 熱基板等材料而言，粘結材料和散熱基板是LED 散 熱的關鍵。如選用的導熱膠導熱特性較差，或選用的 導電型銀漿在提升亮度的同時發熱過多，且含鉛等有 毒金屬，則勢必影響LED 的性能。基板材料可以選 用陶瓷，Cu /W 板等合金作爲散熱材料。最近，韓國 首爾研究所報道有熱阻爲一般鋁材幾分之一的鋁合 金問世，但這些合金生產成本過高，不利於大規模和 低成本生產。LED 封裝結構、封裝材料、導熱膠塗敷 及電極的焊接工藝都將影響芯片側表面和上表面的 散熱能力，因此必須給予充分的重視和細緻的考慮。LED 產生的熱量絕大部分是通過熱傳導的方式 傳到芯片底部的熱沉，再以熱對流的方式耗散掉。所 以採用新型的熱管工質配方，使用高效傳熱的熱管器 件，不但散熱效率高、結構緊湊、體積小，而且熱管兩 端可自由收縮，熱應力小，水蒸汽與熱源之間能雙重 阻隔，確保安全不滲漏和煙阻小，易於清灰，減少能 耗，從而使熱管散熱技術在大功率LED 照明裝置上 得到廣泛採用。對於使用多個LED 且其密集排列的白光照明系 統，由於模塊間互相影響，熱量的管理問題更加重要， 除了芯片層面減少管芯熱阻外，還應採用高熱導率的 封裝材料、設計更合理的熱沉、優化驅動電源等以降 低封裝後器件的熱阻，提高器件性能
3 非成像光學設計
由於LED 芯片體積小，結構緊湊，其發光面積相 對來說更小，是一種0°出光的朗伯體光源，其光強 分佈與出光角的餘弦成正比，亦即LED 光源所發出 的光線在被照表面上所形成的照度隨出射角的增大 而迅速衰減。顯然這樣的光源特性是很難滿足照明 用途的實際需求的，因此需要根據不同的應用場合和 需求，針對LED 光源的特性進行二次光學設計，從而 實現對LED 芯片所發出的光進行整形，尤其針對光 強分佈情況。這樣的二次光學設計過程實際上已屬 於非成像光學設計的範疇。與關心光源信息傳輸的成像光學系統設計比較， 非成像光學系統設計關心的是光源能量的利用和光 分佈控制。由於非成像光學系統的結構簡潔，能量利 用率高，因此在LED 照明系統設計中引起人們廣泛 的關注，它對LED 照明系統在被照表面實現所要求 的`光分佈能起到決定性的作用。如今已有公司推出 新型的LED 路燈產品，它將採用非成像光學概念設 計的透明塑料蓋罩放在每一單顆LED 前，然後只要 將這樣的單顆LED 安裝到散熱平面上，就能製成滿 足道路照明要求的LED 路燈，而不需要再配置具有光學設計的反光鏡。當然設計滿足三維給定光分佈 應用需求的非成像光學封裝系統，仍然是當今LED 光源進入照明市場更多地取代傳統光源的關鍵技術 之一，這也是促進LED 照明技術推廣應用的 良好切點。
4 成本
成本高是LED 推廣應用不可迴避的問題，一次 性投入較大及產品性價比問題是影響LED 照明普及 的重要原因。要產生000 lm 的光通量，白熾燈的成 本小於5 元人民幣; 緊湊型熒光燈的成本小於 元 人民幣; 而對於LED 光源，需要使用十顆大功率 LED，成本超過0 元人民幣。LED 的成本問題是與 LED 技術瓶頸的解決緊密相連的，關鍵技術瓶頸的 突破無疑將會帶來LED 成本的大幅下降。20xx 年， 我國某資助高達500 萬元的LED 863 項目，就是要求 研製完成產生000 lm 光通量的LED 光源，而其成 本應爲40 元人民幣。
5 我國LED 產業發展面臨的挑戰
LED 產業鏈主要包括外延片生長和芯片製造的 上游產業、LED 器件和LED 封裝的中游產業以及 LED 應用的下游產業。美國、日本、歐盟在LED 研發 領域已申請了許多材料生長、管芯製作、封裝等相關 核心技術專利，佔據LED 光源所有專利的90% 以上; 我國臺灣地區及韓國部分光電企業經過發展也擁有 了一定的自主知識產權，並佔有相當的市場份額。
就我國具體情況而言，在LED 產業鏈中面臨的 最大挑戰是大部分企業和研發單位集中在封裝和應 用的產業鏈下游，在佔LED 光源65% 以上利潤的芯 片製造上游產業的力量極其弱小，整個產業缺乏自主 知識產權和核心競爭力。根據最近的不完全統計，目 前我國從事LED 的企業已達到6000 多家。但令人 遺憾的是，應用產品和配套企業佔了絕大多數，有 5000 多家; 其次是封裝企業，約有600 家; 最少的是 從事外延生長、芯片製造的企業，研究單位和生產企 業總共只有40 多家。儘管我國的LED 外延和芯片 生產近年來也有很大發展和進步，但總體仍停留在中 低檔水平。我國高光效、高可靠性的LED 應用產品 所用的高檔外延芯片幾乎全部依賴於進口，目前國內 品牌的高光效的功率型芯片質量還沒被人們認可。
目前，存在一種誤解，似乎只要購買MOCVD 設備就能生產出高光效的芯片，以致出現了20xx 年我國向國外預訂MOCVD 設備的高潮，訂貨數量遠遠超過國際上兩家最主要的MOCVD 生產公司———美國Veeco公司和德國Aixtron 公司年生產能力的數倍。彷彿買紡織機就能織出好布，其實製造芯片的Know-how 技術纔是我們該下功夫的鍵。
6 標準
目前LED 無論在產品規格或測量上均缺乏適當 的標準。爲了使各種不同形式及應用的LED 光源能 有正確、可靠且具一致性的評估標準，制定相關的 LED 標準便成爲LED 產業迫切的需求。 就產品標準而言，目前市場上的LED 照明產品 性能良莠不齊，產品信息大都不夠準確、完整，因此 LED 相關產品的規格標準的制定已成爲關注焦點; 就測量標準而言，LED 的光電及熱學特性不同於傳 統光源，使得LED 的測量方法無法完全套用傳統照 明光源的測量技術。
CIE 在97 年提出了編號爲7 的技術文件 《Measurements of LEDs》( 俗稱CIE-7) 。在CIE-7 當中，CIE 提出了“平均LED 光強度( Average LED intensity) ”的概念及作爲測量LED 光強度的一種參 考方法，也對LED 全光通量的測量方法提出了建議。 然而隨着LED 技術的快速發展，CIE-7 所提出的測 量方法已不足以解決現階段LED 測量的問題，尤其 對於高功率LED 而言。因此，CIE 陸續成立數個技 術委員會以解決LED 測量的相關問題，其中以修訂 原有的CIE-7 爲目標的技術委員會已完成修訂工 作，並已於20xx 年以第二版的形式公佈了CIE-7: 20xx。在修訂版中，最大的改變是提出了“部分LED 光通量( Partial LED flux) ”的概念。但CIE-7: 20xx 仍然無法解決許多目前高功率LED 所遇到的測量難 題。如用於LED 光強、光通量等重要光度參數測量 的探測器，一般是使用硅光電二極管，探測器的靈敏 度R( λ) 無法與光譜視見函數V( λ) 在所有光譜點準 確匹配，特別是現有探測器在藍、紅波段誤差較大，因 此，用光電池探測器測量藍光、紅光LED 的光通量時 會產生很大誤差。爲了達到匹配，通常需在探測器前 加一組濾光片，由於濾光片材料的限制，要達到完全 一致是很困難的。而且，LED 的溫升也將嚴重影響 LED 的光輸出性能，從而影響光參數的測量。LED 封裝的多樣性也決定了其空間光分佈的複雜性和測 量的難度。